當今，電子係統的時鍾（zhōng）頻率為幾（jǐ）百兆赫（hè），所用脈（mò）衝的前後沿在亞納秒範圍，高質量視頻電路（lù）也（yě）用以亞納秒級的象素速率。這（zhè）些較高的處理速度表示了工程上受到不斷的挑（tiāo）戰（zhàn）。那（nà）麽如何預防和解決連接（jiē）器電磁幹擾的問題值得我們關注。

        電路上振蕩速率變得更快(上升/下降時間（jiān）)，電壓/電流幅度變得更大，問題變得更多。因此（cǐ），今天同以前相比，解決（jué）電磁兼容（róng）性（xìng）(EMC)就更艱難（nán）了。

        在電路的兩個波節之前，快速變化（huà）的（de）脈衝電流，表示了所謂差模噪聲源（yuán），電（diàn）路（lù）周圍的電磁場可以耦合（hé）到其它元件上和侵入連接部（bù）分。經感（gǎn）性或容性耦合的噪聲是共（gòng）模幹擾。射頻幹擾電流是彼此相同的，係統可以建模為：由噪聲源（yuán）、“受害電路（lù）”或“接受（shòu）者”和回路(通常是底板)組（zǔ）成。用幾個因素來描述幹擾的大小：噪聲源的強度、幹擾電流（liú）環繞麵積的大小、變化速率。

噪聲的耦合和傳播

        共模噪聲是由於不合理的設計產生（shēng）的。有些典型（xíng）的原（yuán）因是不同（tóng）線對中個別導線的長度不同，或到（dào）電源平麵或機殼的距離不同（tóng）。另一個原因是元件（jiàn）的缺陷，如磁（cí）感應線圈與變壓器，電容器與有源器件(例如應用特殊的集成電路(ASIC))。

        磁性元件，特別是（shì）所謂“鐵芯扼（è）流圈”型貯能（néng）電感器，是用（yòng）在電源變換器之中的，總是產生電（diàn）磁場。磁路中的氣隙相當於串聯電（diàn）路中的一個（gè）大電阻，那兒要消耗較多的電能。

        於是，鐵芯扼流圈，繞製在鐵氧體棒（bàng）上，在棒周圍產生強的電磁場，在電極（jí）附近有最強的場強。在使用回（huí）描結構（gòu）的開關（guān）電源中（zhōng），變壓器上必定有（yǒu）一個空隙， 其間有很強的磁場。在其中保持磁場最合適的元件是（shì）螺旋管，使（shǐ）電磁（cí）場沿管芯長度方向分布。這就是在高（gāo）頻工作的磁性元件優選螺旋結構的原因之一。

        不恰當的去（qù）耦電路通（tōng）常（cháng）也變成（chéng）幹（gàn）擾源。如果電路要求大的脈衝電流（liú），以及局部去耦時不（bú）能保證小電容或十分高的內阻需要，則由電源回路（lù）產（chǎn）生的電壓就下降。這相當於紋波，或者相當於終端間的電壓（yā）快速變化。由於封（fēng）裝的雜散電容（róng），幹擾（rǎo）能耦合到其它電路中去，引起共模問題。

        當共（gòng）模電流汙染I/O接口電（diàn）路時，該問題必須解決在通過（guò）連（lián）接器之前。不同的應用，建議用不同的方法來解決這個問題。在視頻電（diàn）路中，那兒I/O信號是單端（duān）的，且公用同一共同回路，要解決它，用小型LC濾波（bō）器濾掉噪聲。

        在（zài）低頻串（chuàn）聯接口網絡中，有些雜散電容就足夠將噪聲（shēng）分流到底板上。差分（fèn）驅動的接口，如以（yǐ）太，通常是通過變壓器耦合到I/O區域（yù），是在變壓器一側或兩側（cè）的中心抽頭提供耦合的。這些中心抽頭經高壓電容器與底板相連，將（jiāng）共模（mó）噪聲分流到底（dǐ）板上，以使信號（hào）不發生（shēng）失真。

在I/O區域內的共模噪聲

        沒有一（yī）個通用辦法來解決所有類型的I/O接口的問題。設計師們的主要（yào）目標是將電路設計好（hǎo），而常常忽略了一些視為簡單的細（xì）節。一些基本（běn）法則能使噪（zào）聲在到（dào）達連接器以前（qián），降至最小：

        )將去耦電容設置在緊挨負載處。

        2)快速（sù）變化的前後（hòu）沿的脈衝電流（liú），其環路尺寸應（yīng）最小。

        3)使大電流器件(即（jí）驅動器和ASIC)遠離I/O端口。

        4)測定信號的完整性，以保證（zhèng）過衝和下衝最小，特（tè）別（bié）是對於（yú）大電流的關鍵性信號(如時鍾（zhōng），總線)。

        5)使用局（jú）部濾波，如RF鐵氧體，可吸收RF幹擾。

        6)提供低阻抗搭接到底板上（shàng）或在I/O區域（yù）的（de）基準在底（dǐ）板上（shàng）。射頻噪（zào）聲和連接器

        即使工程師采取許多上述所列的預防措施，來減小在I/O區內的RF噪聲（shēng），還不能保證這（zhè）些預防措施（shī）能否成功地足夠滿足發射要求。有些噪（zào）聲是傳導幹擾，即在內（nèi）部電路板（bǎn）上按共模電流流動。這個幹擾源是在底板和（hé）電（diàn）路等之間。

        於是，這個RF電流一定通過最低阻抗(在底板和載信號線之間)的通（tōng）路流動。如果（guǒ）連接器沒呈現足夠低的阻抗(與（yǔ）底板的搭接處)，這RF電流經雜（zá）散電容（róng）流（liú）動。當這RF電流（liú）流過電纜（lǎn）時，不可避免（miǎn）地產生發射（shè）。

        使共模電流注入到I/O區的另一機理，是附（fù）近有強的幹擾源的耦合（hé）。甚至（zhì）有些“屏蔽”連接器也無用，因為幹擾源就在連接器附近，如PC機環境。如果在連（lián）接（jiē）器和底板之間有一個缺（quē）口，此處所（suǒ）感應的RF電壓可以使EMC性能下降。

        屏蔽（bì）連接器方法有，加指形簧片或墊（diàn）片。連接器的搭接，是在連接（jiē）器和機殼之間填滿空處。這個方法要求有一個襯墊。金屬襯墊較好（hǎo），隻要處理合適，也就是說，隻要表麵不被汙染，隻要手（shǒu）不觸及或損壞襯（chèn）墊以及隻要有足夠的壓力，以保持好的、低阻抗的接觸。

        別的方法是連接器裝接頭片或者把連接器安裝在（zài）機殼上。此時，最大接觸麵稍微小些，且應（yīng）嚴格控製接頭片的尺寸和彈性。安（ān）裝屏蔽連接器時，在（zài）機（jī）殼上開口，開口的（de）一側要去掉油汙，要仔細製作，若公差不合適，導致（zhì）連接器在機殼內陷入太深，使搭（dā）接（jiē）中斷。每位EMC工程師知道（dào），在“極好”的係統當中，這個（gè）問（wèn）題一定要滿足發射要求，並在生產線（xiàn）及（jí）時檢查。未緊固（gù）的或彎曲的襯墊，安裝於關鍵（jiàn）區域的油（yóu）汙上，將失效。

由於下述原因選用（yòng）了EMI連接器

        1)導（dǎo）電發（fā）泡塑料（liào）是極其柔軟的，且能放在連接器的整個周圍。這就消除了與另一機（jī）殼、襯墊有關的問題。

        2)機械工程師可以在係統機殼可（kě）接收的公差（chà）範（fàn）圍內安裝連接器（qì）。

        3)連接器與機殼實現低阻抗搭接，以保證（zhèng）良好接觸。機殼壁內側上的襯墊，當要塗漆有遮蔽要求時，可以用更柔軟的材料。

        4)要求強迫冷卻的設計，襯墊最好（hǎo）有（yǒu）另一特點：連接器和機殼壁之間的縫應密封起來，以（yǐ）減少氣漏（lòu）。在有塵埃的環境中，襯墊要起到係統內保（bǎo）持幹淨。